Memori DDR3-2 GB Dengan DRAM 42-Nanometer

Sebuah memori DDR3-2 gigabit (Gb) menggunakan DRAM 42-nanometer (nm) berhasil dikembangkan oleh Micron Technology, Inc. dan Nanya Technology Corporation. Teknologi berbasis tembaga ini niscaya akan berguna dalam aplikasi-aplikasi komputasi berkinerja tinggi, termasuk server, notebook, dan desktop.

DDR3 adalah teknologi memori utama yang digunakan dalam aplikasi-aplikasi komputasi berkinerja tinggi, termasuk komputer server, notebook, dan desktop. Pergerakan menuju geometri proses yang lebih kecil sangat penting untuk mempertahankan efisiensi biaya produksi serta memberikan keuntungan bagi pelanggan, meliputi konsumsi daya yang lebih rendah, kinerja yang lebih baik, kepadatan yang lebih tinggi, dan cetakan memori yang lebih kecil.

Kelebihan Proses 42nm yang baru tersebut kini membuat daya 1,35-volt menjadi daya standar yang digunakan luas dibandingkan dengan 1,5-volt pada memori generasi sebelumnya. Mengurangi konsumsi daya saat ini sangatlah penting untuk lingkungan server, karena biaya daya dan infrastruktur pendingin sebanding dengan biaya peralatan server sendiri. Dengan meningkatnya kebutuhan memori pada server, diperkirakan konsumsi daya memori dapat mencapai hingga 21-watt per modul. Daya 1,35 volt dapat memberikan penghematan hingga 30 persen dalam aplikasi-aplikasi tersebut, sehingga mengurangi baik kebutuhan daya dan pendinginan.

Demikian halnya ketika memori pada server ditingkatkan. Konsumsi daya pada memori pun akan meningkat juga. Diperkirakan akan mencapai hingga 21 watt per modul dan mencapai kinerja memori 1866 megabit per detik. Berkat cetakan memori yang kecil dan kepadatan 2Gb dari perangkat DDR3-42nm, mampu menghasilkan modul hingga kapasitas 16Gb.

"Dengan pergerakan menuju 42nm dan dengan proses 3Xnm yang sudah bekerja baik di fasilitas R&D kami di Boise, keahlian Micron dalam metalisasi tembaga dan teknologi kapasitor sel khusus membuat kami tetap menjadi yang terdepan dalam desain proses DRAM," kata Robert Feurle (Vice President DRAM Marketing).

Alasan Micron menggunakan tembaga ini antara lain adalah karena bahan tembaga yang hemat biaya, dibandingkan dengan teknik metalisasi lainnya seperti aluminium. Pengiriman sampel ini dijadwalkan akan dimulai pada kuartal kedua kalender 2010, sedangkan pelaksanaan produksi direncanakan akan mulai pada semester kedua tahun ini.

"Penambahan perangkat 2Gb 42nm yang baru tersebut pada lini produk DRAM kami memperkuat portofolio solusi memori kami yang sudah sangat beragam untuk aplikasi lengkap bagi pengguna," tambahnya.

"Nanya berencana untuk melayani pasar server dan PC, dan juga pasar konsumer, dengan perangkat dengan teknologi terbaru ini, DDR3 2Gb ini, perangkat DRAM yang paling kompetitif yang pernah diproduksi, bagi pelanggan kami," menurut Dr. Pei Lin Pai, vice president of global sales and marketing dan juru bicara untuk Nanya.

Teknologi proses DRAM 42nm yang baru menggunakan teknologi metalisasi tembaga yang lebih efisien dan andal, sehingga membuat Micron dan Nanya tetap menjadi yang terdepan dalam peningkatan teknologi proses. Micron telah lama mengetahui manfaat tembaga dalam membantu peningkatan DRAM, dan telah terus memanfaatkan dan memperbaiki teknologi tersebut selama hampir satu dekade.

Jika dibandingkan dengan teknik metalisasi lainnya, seperti aluminum, tembaga dikenal sebagai pendekatan yang lebih dapat diperluas, andal dan lebih hemat biaya untuk mempercanggih proses geometri dan memperbaiki kinerja produk. Ketika Micron dan Nanya terus meningkatkan teknologinya, bergerak menuju ke teknologi proses berikutnya 3Xnm, kedua perusahaan bertumpu pada pondasi tembaga mereka yang kuat untuk menghadirkan produk-produk berkualitas tinggi dan andal.

Pengiriman sampel dijadwalkan akan mulai pada kuartal kedua kelendar 2010, dengan pelaksanaan produksi direncanakan untuk mulai semester kedua tahun ini.